Монокристаллический сапфир

Номер документа 2620150017

РУБРИКА:
3. Коммерческие вопросы, маркетинг, конъюнктура, реклама

РУБРИКА ГРНТИ:
44.01.14. Коммерческие вопросы, маркетинг, конъюнктура, реклама

АТРИБУТЫ:
Отрасли: Электроэнергетика
Тепловая энергия:
Электрическая энергия: Электропередача; электрополтребление
Виды топлива:
Водные ресурсы:

РЕКВИЗИТЫ:
Вид документа: Описание
Номер: Номер отсутствует
Автор (принявший орган): АО "Монокристалл", 355035, г. Ставрополь, пр. Кулакова, 4/1, тел.(8652)56-28-71, факс (8652) 95-65-28
Дата: 03.11.2015
Регион: Ставропольский край
Источник информации: www.monocrystall.com

ПОЛНЫЙ ТЕКСТ ДОКУМЕНТА:

Монокристаллический сапфир
Монокристаллический сапфир благодаря своим механическим, оптическим, диэлектрическим и структурным свойствам, является незаменимым материалом для применения в электронике, оптоэлектронике, оптике, точной механике, приборостроении и лазерной технике.
Благодаря диэлектрическим и кристаллографическим свойствам сапфир представляет собой великолепный материал для изготовления различных пластин электронного применения. Сапфир является основным материалом при производстве светоизлучающих диодов, поскольку его кристаллическая решетка позволяет наращивать эпитаксиальный слой нитрида галлия (GaN) с хорошими рабочими характеристиками и соотношением цена/качество; кроме того, он достаточно широко распространен.
Из новых интересных применений сапфира можно отметить использование сапфировых подложек при изготовлении голубых полупроводниковых лазеров для систем, требующих высокой плотности записи данных, например, в современных игровых приставках, плеерах формата Blue-ray и других устройствах типа HD-DVD.
Монокристалл предлагает 2", 3", 4", 6", 8", 10" эпи-полированные пластины, а также резанные/шлифованные заготовки, как стандартные так и по спецификациям заказчика (разориентированные, с полировкой нерабочей поверхности, различной толщины). Пластины и заготовки пластин изготавливаются из кристаллов, выращенных методом Киропулоса.
Преимущества наших пластин:
•          высокая чистота материала: > 99,997%;
•          низкое содержание примесей Ti: < 1 ppm;
•          низкая плотность дислокаций: < 103 см-2;
•          допуск по ориентации: до ± 0,05 градуса.
Пластины сапфира для полупроводниковых изделий предлагаются с различной ориентацией, включая плоскости M, А, R, C. Возможно производство пластин различной формы (круглой, прямоугольной или квадратной), от нескольких мм до 250 мм в диаметре, с обработкой в соответствии со спецификацией заказчика.
Толщина пластин варьируется в диапазоне от 0,15 мм до 1,0 мм в зависимости от области применения. Оборудование позволяет контролировать производство пластин с момента выращивания кристалла до изготовления конечной продукции
 
 
 
 
Свойства сапфира
Свойства сапфира
Преимущества
Устойчив к высоким температурам
Плавится при температуре около 2050°C. Сохраняет чистоту в высокотемпературных средах
Твердый и прочный
Устойчив к царапанью большинством материалов
Устойчив к высокому давлению
Износоустойчив
Химически инертен, нерастворим в большинстве обычных промышленных растворов и устойчив к коррозии
Может использоваться в агрессивных средах
Легко отмывается
Имеет длительный срок службы
Имеет высокую чистоту
В некоторых средах срок службы сапфира в 5 раз больше срока службы кварца
Широкий спектр пропускания в УФ, видимом ИК, и СВЧ диапазонах
Длительное и надежное пропускание инфракрасных лучей
Прекрасное светопропускание при 0,25 - 4,50 мкм
Высокая удельная теплопроводность
Обеспечивает способность к быстрому нагреванию и охлаждению
Характеристики сапфира
Общие
Химическая формула:
Al2O3
Метод выращивания:
Киропулос
Структура:
гексагональная с элементами ромбоэдрической
a = b = 4,77 A
c = 13,04 A
Тепловые
Температура плавления:
2050 °C
Коэффициент линейного расширения:
6,7 x 10-6 / °C параллельно оси С
5,0 x 10-6 / °C перпендикулярно оси С
Теплопроводность:
46,06 W/м °K (0°C)
Механические
Плотность:
3,98 г/см3
Твердость:
Mohs: 9
Knoop: 1800 daN/mm2 параллельно оси С
2200 daN/mm2 перпендикулярно оси С
Предел прочности на разрыв:
400 MPa/mm2 (25°C) 275 MPa/mm2 (500°C) 345 MPa/mm2 (1000°C)
Прочность на изгиб:
35 до 39 daN/mm2
Напряжение при сжатии:
2,0 GPa
Модуль упругости Юнга
3,6 x 104 до 4,4 x 104 daN/mm2
Электрические
Диэлектрическая проницаемость:
9,3 (103 - 109 Гц, 25°C) перпендикулярно оси С
11,5 (103 - 109 Гц, 25°C) параллельно оси С
Удельное сопротивление:
1016 Ом/см (25°C)
1011 Ом/см (500°C)
106 Ом/см (1000°C)